한국항공대학교 드론모빌리티 융합 교육연구단(BK21) 황완식 교수 연구팀의 'Formation of Ga₂O₃ and NiO Thin Films at Low Process Temperatures for PN Heterojunction Diodes' 연구 결과가 American Chemical Society(ACS)에서 발행하는 SCIE급 국제학술지 ACS Applied Electronic Materials(2025년 4월, Vol. 7, Issue 8)의 표지 논문으로 선정되었습니다.

 ‘산화갈륨(Ga₂O₃)’은 기존 반도체에 주로 사용되던 실리콘(Si)보다 넓은 Band Gap을 갖고 있는 소재입니다. 이로 인해 높은 전압을 견딜 수 있는 특징을 지니고 있어 항공우주, 전기차, 철도 등 고전력이 필요한 첨단 분야에서 미래 소재로 주목받고 있습니다. 그러나 산화갈륨을 이용해 소자를 제작하려면 900℃ 이상의 고온 공정이 필수적이었는데, 고온 공정은 생산 비용이 높고 열에 약한 다른 재료와는 함께 사용할 수 없다는 문제가 있었습니다.

 황완식 교수 연구팀은 'Sputtering' 공정을 이용해 산화니켈(NiO)과 산화갈륨 박막을 400℃ 이하의 저온 공정을 통해 이종접합 다이오드를 적층하는 데 성공했습니다. 이 이종접합 다이오드는 전류 방향을 제어하는 정류 특성과 절연 파괴 거동 면에서 뛰어난 성능을 보였습니다. 또한, 기존 고온 공정의 문제였던 열에 약한 소재와의 호환성 한계를 극복했습니다.

아래 링크에서 논문을 확인하실 수 있습니다.

URL : https://lnkd.in/ge2SaK3e